半导体清洗的核心在于去除晶圆表面的各种污染物，并保持晶圆表面的洁净度和电性能。具体原理包括：

物理清洗：利用机械力（如超声波）或压力（如喷淋）去除颗粒物。

化学清洗：通过化学反应去除有机物和金属离子。

等离子清洗：利用等离子体中的活性粒子与污染物反应，从而去除污染物。表面改性：通过化学或物理方法改变晶圆表面的性质，以提高后续工艺的效果。

1.预清洗

  去离子水（DI Water）冲洗：使用高纯度的去离子水初步去除晶圆表面的颗粒和松散污染物。这一步骤是为了去除大颗粒和易于去除的杂质，为后续的深度清洗做准备。

  超声波清洗：将晶圆置于装有去离子水的超声波槽中，通过超声波产生的空化效应，破坏颗粒与晶圆表面的结合力，从而去除颗粒。

化学清洗

去除有机物：

  丙酮清洗：使用丙酮溶解油脂和其他有机物。氨水/过氧化氢混合液（SC-1）：使用氨水和过氧化氢的混合液去除有机物。SC-1的典型配比为NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:5，温度在20°C左右。

去除金属离子：

  硝酸清洗：使用硝酸去除金属离子。

  盐酸/过氧化氢混合液（SC-2）：使用盐酸和过氧化氢的混合液去除金属离子。SC-2的典型配比为HCl:H2O2:H2O = 1:1:6，温度在80°C左右。

去除氧化物：

  氢氟酸（HF）：使用氢氟酸去除晶圆表面的氧化层。HF的典型配比为HF:H2O = 1:50，温度在室温左右。

3.终清洗

  去离子水冲洗：使用去离子水冲洗晶圆，确保表面无残留的化学物质。

  臭氧水清洗：使用臭氧水（O3/H2O）进一步氧化并去除残留的有机物和金属离子。

  旋转甩干：在高速旋转下，利用离心力去除晶圆表面的液体。

  氮气吹扫：使用氮气吹扫晶圆表面，确保表面干燥，防止水痕留下。