半导体生产工艺中：刻蚀、清洗、外延生长、离子注入、掺杂、气相沉积、扩散等环节都会使用大量的电子气体，如高纯SiH4、PH3、AsH3、B2H6等。这些电子气体的纯度对芯片质量有着重要影响，随着集成电路工艺节点不断缩小，对气体纯度和杂质含量的要求也越来越高。电子特气种类繁多，包括惰性气体、氢化物气、氟化物气、酸性气体等。在集成电路制造过程中，会使用高纯度的特种气体和混合气体，每种气体都应用在特定的工艺环节中。例如，氖、氩、氪、氙、氡等稀有气体是晶圆制造的一部分材料，据北美半导体产业协会（SIA）统计，在各芯片制造材料中，电子气体占比达14%，是仅次于硅片材料之外的第二大半导体材料。广泛应用于晶圆制造过程的扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化等多道环节。

给大家简单分享下不同电子特气的应用：

半导体气相沉积-制程调控：氟化物（Fluorides），氯化物（Chlorides），氮化物（Nitrides）和氨气（Ammonia），这些气体在其中起着关键作用。

光刻过程：氟化物（如HF，SF6），被用于通过掩膜在硅片上形成图案。这是芯片制造中定义电路图案的关键步骤。通过精确控制光刻气体的使用，制造商能够在硅片上创造出微小的结构，这决定了电路的性能。

刻蚀制程：氟碳化合物（如CF4，C2F6），在这个过程中，刻蚀气体通过将不需要的材料从硅片上去除，形成所需的电路结构。此过程的精确性和可控性对芯片的最终性能至关重要。

薄膜制程：氧化氮（NO）和氨气（NH3）等气体被用于在硅片表面形成细腻的薄膜。这种薄膜在芯片的不同层次之间起到隔离和保护作用，确保电路的稳定性和可靠性。

扩散制程：氮气（N2）被用于在硅片上引入掺杂物质，以改变硅片的电学性质。这是调节芯片性能的关键步骤，决定了电流的流动和电路的整体性