刻蚀是整个IC制造中的工艺，是与光刻胶相联系进行图像化处理的一种技术，刻蚀过程需要控制刻蚀偏差，分为湿法刻蚀和干法刻蚀。文章介绍湿法知识。#半导体#光刻机#光刻胶#刻蚀机
按照刻蚀方式和所使用的物质不同，刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀两类。
湿法刻蚀： (Wet Etch)是一个纯粹的化学反应过程，是指将待刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
优点:设备简单、重复性好、成本低、刻蚀速度快、生产效率高；
缺点:具有各向同向，横向刻蚀的宽度接近垂直刻蚀的深度，光刻胶下面会有刻蚀液的渗入，导致钻刻严重，对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸，很难处理非常精细的电路图:会产生大量的化学废液；
因为湿法刻蚀存在不容忽视的刻蚀偏差，所以一般用于晶圆磨片、抛光、清洗等环节。
