生产集成电路的简要步骤： 利用模版去除晶圆表面的保护膜。 将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。 用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。 其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。 一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种： 模版和晶圆大小一样，模版不动。 模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。 其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流 [1]  。 主要厂商编辑 曝光机是生产大规模集成电路的核心设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握。因此曝光机价格昂贵，通常在 3 千万至 5 亿美元。 ASML 尼康 佳能 欧泰克 上海微电子装备 SUSS ABM, Inc. 品牌编辑 光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类： 高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。 位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。 分类编辑 光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动 A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了； B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐； C 自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。 紫外光源编辑 曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光：g线：436nm 紫外光（UV），i线：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。]