光刻工艺过程和胶卷相机比较接近，是一种多步骤图形转移过程。光刻过程把光罩（Mask）上的图形转到晶圆（wafer）上，由涂胶显影机（Track）和光刻机（Scanner）共同完成的，是芯片制造过程中最重要的工序之一。涂胶显影机（Track）的作用相当于制作和冲印胶卷，而光刻机（Scanner）的作用相当于照相机按快门照相（图1）。本文中重点探讨涂胶显影机（Track）的工艺过程。
工艺流程
涂布显影机的基本流程：涂底胶（HMDS） →冷板（Cooling Plate） →涂光刻胶旋涂（Spin COT） →软烘烤（Soft bake or PAB） →冷板（Cooling Plate） →曝光（Exposure） →曝光后烘烤（Post Exposure Bake） →冷板（Cooling Plate） →显影（Developer） →硬烘烤（Hard Bake） →冷板（Cooling Plate），以上工艺流程是一个基本的流程，然而，大部分都是基本流程的变异或者选项。
表面处理
涂底胶（HMDS）：底胶通过化学反应把晶圆表面由亲水性（Hydrophilic）改变为疏水性（Hydrophobic），进而保证晶圆与光刻胶的良好粘接。目前广泛使用的HMDS （hexamethyldislazane）是六甲基二硅胺烷（（CH3） 3SiNHSi（CH3） 3），将硅片表面的亲水性氢氧根（OH）通过化学反应置换为疏水的OSi（CH3）
HMDS有旋转和蒸气两种涂布方式：
HMDS在wafer表面只需要几个分子的厚度，旋转方式HMDS的耗量大，而蒸气式用很少的量就可完成，这里只介绍蒸气式的工作原理。利用N2把HMDS蒸汽带入到加热的腔体中，喷洒到Wafer表面保持一段时间，再通入N2把反应的副产物和剩余的HMDS带走排放到废气系统中（图2）。通过测量晶圆（Wafer）表面水的接触角（Contact angle）来验证HMDS的涂布效果，一般要求大于65度。烘烤温度和HMDS喷洒时间都会影响接触角的大小。通常，加热温度125度，喷洒时间40秒。
