金属剥离工艺（metal lift-off technology）是指基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模，带胶蒸发所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂的同时，把胶膜上的金属一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形的金属。
金属剥离工艺-lift off
一、金属剥离工艺是指一种精细的光刻腐蚀工艺。基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模，带胶蒸发所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂的同时，把胶膜上的金属一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形的金属。金属剥离工艺的优点是可获得亚微米图形，而且边缘陡直，图形尺寸精确。该工艺可普遍应用于要求精细光刻图形的半导体器件的制造
二、属剥离工艺步骤大体如下：涂敷、曝光、显影、坚膜以得到需要的图形，接着在片子上做金属化(通常用蒸发方法)，然后用有机溶剂(常用乙醇和丙酮)去除光致抗蚀剂。与此同时在抗蚀剂顶部的金属随抗蚀剂一起脱离，而同GaAs片子直接接触的金属被保留下来。
与腐蚀工艺不同，金属剥离工艺的成功之处在于金属对抗蚀剂边缘特别灵敏，抗蚀剂图形通常制成开口小腔体大有着顶部突出边缘的剖面形状，并研制出多种能提供这种剖面的光刻技术。
三、金属剥离工艺的优点是可获得亚微米图形，而且边缘陡直，图形尺寸精确。它克服了晶体管、集成电路工艺中常用的光刻腐蚀法的缺点。这种工艺目前已普遍应用于要求精细光刻图形的砷化镓场效应晶体管的制造中。在表面声波器件制作及高精度铬掩模、彩色掩模工艺中也正在采用这种工艺。
