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晶圆级封装与后膜光刻胶(上)
厚膜光刻胶和光刻聚合物目前已广泛应用于先进封装技术中。焊接凸点需要很厚的光阻层和较高重复精度,但并不要求很陡的侧壁倾角;金凸点和铜布线则要求中等厚度的光阻膜,而且对侧壁的精度与倾角要求都很高。对于感光介电材料中的过孔而言,最好应有倾斜的侧壁倾角以便与介电层下的金属焊盘保持良好接触。所有这些应用均可采用贴近式掩膜整版曝光法以便经济地进行大批量生产。
来源: | 作者:pmoe2a7d5 | 发布时间: 2024-01-22 | 5246 次浏览 | 分享到:

有报告指出,步进器的光学结构会被曝光时产生的BCB挥发物污染。在作贴近印刷时,挥发物的浓度很低,不会形成污染。但如果有了污染,则应经常对掩模进行清理,曝光系统在任何时候都不应靠近聚合物。在二次布线过程中,晶圆上面的BCB电介层可作为一种附加的保护层。该层内的外围电路焊盘都是开路的,铜线从电介层的顶部穿过BCB层上的通孔,将外围电路与BCB层顶端的大焊盘阵列连接起来[2]。此时可以用较高直宽比的正性光阻材料,如AZ 9260TOK PMER P-LA900PM等,这和前面金凸点部分一样。 

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