吸收光能： 感光剂吸收曝光光线的能量，进入激发态。

化学变化： 激发态的感光剂与光刻胶中的其他化合物发生化学反应，导致局部的化学结构改变。

形成图案： 经过曝光后，通过显影过程，只有发生化学变化的区域被保留下来，形成所需的图案。

       不同类型的光刻胶可能使用不同的感光机理，但以上步骤提供了一般的概述。光刻胶的性能和效果对芯片制造的成功至关重要。负性光刻胶由感光材料+聚合物组合，光照射后进一步聚合，不溶于显影液的有机溶剂，光照射区保留图形。正性光刻胶由光分解剂和碱性可溶性树脂及溶剂组成，为重氮茶醒磺酸醋及线性酚醛制成。光照射后氮气脱离，变成酮结构。用碱性水溶液显影变成水溶性的羟酸，然后被去除，即没有被光照的区域留下图形。

三、要求

中短波长段的可见光使光刻胶 感光，因此，光刻区域与普通洁净室是隔开的，采用不会使光刻胶感光的照明光源，称为黄光区。光刻胶涂布工艺时，转速越高，薄膜厚度越薄；光刻胶黏度越高，薄膜厚度越厚。晶圆边缘会出现膜厚稍厚的部分，为边缘堆积，则需要进行边缘冲洗，还要进行背面冲洗，防止光刻胶测流到晶圆背面。显影工艺中负性光刻胶使用甲苯、乙酸乙酯显影液，去除没有发生光聚合反应的部分。正性光刻胶使用氢氧化铵显影液，溶解被光照射的部分。