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单片晶圆蚀刻设备
全自动时刻机:
  单片晶圆蚀刻设备不仅能够甚至在产生气体(蚀刻反应的副产品)的情况下通过振动所述晶圆来排放气体,并且还可防止所述气体吸附在所述晶圆的表面上。此外,由于所述单片晶圆蚀刻设备可对所述晶圆的各个区域进行直接加热,所以甚至在由于蚀刻进行的同时蚀刻溶剂从所述晶圆的中心朝向圆周方向移动而导致蚀刻温度从所述晶圆的中心朝向圆周方向逐渐增加的情况下,单片晶圆蚀刻设备可通过从圆周方向朝向所述晶圆的中心以温度增加的方式进行加热来均衡地维持反应温度。因此所述单片晶圆蚀刻设备不仅能够在所述晶圆的任何位置处维持均衡的蚀刻程度,并且还能够提高平整度。
主要是蚀刻金属膜等工艺:
wafer size: 12inch
Etch-chamber unit: 2P
solvent type: H2SO4、HF、DMSO、NMP

单片晶圆蚀刻设备:
转盘:所述转盘具有稳固地布置在其上的晶圆,并且所述转盘的直径小于所述晶圆的直径;
喷嘴:喷嘴将蚀刻溶剂喷射到所述稳固地布置在转盘上的晶圆上;使所述转盘旋转的驱动装置;
振动装置,所述振动装置在蚀刻溶剂从所述喷嘴喷射期间振动所述转盘。