型号：Ｍ+-E150

主要用途：
　　用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗。

 

我公司可生产手动、半自动及全自动刻蚀、清洗设备，以满足2˝--8˝晶片各种工艺需求。

蚀刻机型： 半自动蚀刻清洗、全自动蚀刻清洗

控制模式： 手动控制模式 ,自动控制模式；

清洗能力： 单片2-8inch，或cassette/ Batch，（25 Pcs/cassette） 

工艺说明： 机械传动，自动方式实现槽体间传送工件； 

腐蚀工艺自动补药液保证了工艺槽在运行过程中浓度的稳定性；

工艺参数（药液温度、时间、DIW水清洗模式、时间可调）手动由触摸屏界面可设定；

全程自动化控制，工艺过程中没有人工干预，保证产品性能的一致性；

清洗液为有机溶剂，设备操作台面工位；按客户要求设计并可选配CO2在线式灭火器。